第三代半导体核心材料研发生产能力大幅提升

　　据新华社电　从上海硅酸盐研究所获悉，日前，20余台具有自主知识产权的碳化硅晶体生产炉已成功稳定生产高质量碳化硅晶体。

　　据碳化硅晶体项目部晶体生长组组长严成锋介绍，自主研制新一代中用晶体炉可以打破发达国家技术垄断，大大提升我国第三代半导体核心材料的自主研发生产能力。

　　在项目部的一间测试实验室内，项目部薄膜与测试小组组长刘学超说，项目部研制的晶体材料，都需要在这些检测机器上完成表征测试，并按照国际标准，对晶体质量的表征进行逐项比对，确保每项数据都合格。随着项目进入关键阶段，每天的质量测试工作差不多有十几个小时。

　　据介绍，当上海硅酸盐研究所承接国家第三代半导体核心材料碳化硅晶体自主研发项目时，让很多从事这一领域的科研人员十分振奋，迅速由两个相关课题组合并成为一个大项目部，来自上海、福建、河南、湖北、陕西等各个省市的研发团队中，70%以上的人都具有博士学位。　

　　严成锋表示，现在，该项目部已经掌握了从原料到晶体生长、加工、清洗、检测直至用户生产半导体产品的全部技术。