三星电子宣布研发出首款CXL2.0 DRAM
编辑时间: 05-12 关键字:
5月12日,三星电子宣布,研发出其首款支持Compute Express Link™(CXL™)2.0的128GB DRAM。同时,三星与英特尔密切合作,在英特尔®至强®平台上取得了进展。
图片来源:三星半导体
继2022年五月,三星电子研发出其首款基于CXL 1.1的CXL DRAM(内存扩展器)后,又继续推出支持CXL 2.0的128GB CXL DRAM,预计将加速下一代存储解决方案的商用化。该解决方案支持PCIe 5.0(x8通道),提供高达每秒35GB的带宽。
据三星介绍,CXL 2.0是三星有史以来第一个支持内存池(Pooling)的产品。内存池是一种内存管理技术,它将服务器平台上的多个CXL内存块绑定在一起,形成一个内存池,使多个主机能够根据需要从池中动态分配内存。这项新技术使客户尽可能的降本增效,从而帮助企业将有限的资源重新投资于增强服务器内存中去。
三星电子透露称,计划于今年年底之前开始量产这一最新的CXL 2.0 DRAM,并准备推出多种容量的产品,以满足快速变化的下一代计算市场,进一步加速扩大CXL生态系统。
封面图片来源:拍信网
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