【会员动态】集成创新——实现国产IGBT芯片封装技术新突破

公司近期完成了大功率国产IGBT芯片应力压接式双面散热分立器件封装技术的研发和工艺及材料装备验证，批量封装样品经第三方检测：对标国际先进产品，封装热阻下降30%，可靠性检测达到AEC-Q101 Ⅰ级产品标准。

该项技术系统集成了本公司具有原创性和自主知识产权的多项技术，主要包含：

对同质或异质衬底的半导体芯片均可实现低热阻和高结合力固晶，相对于纳米银烧结固晶具有不可比拟的性价比和产能效率优势。

具有高导热，高耐热，高强度，高耐电强度，低介电常数。优良热流动性及密封和耐候特性的塑封材料，保障制成品的热电可靠性。

无重熔控制，多级高压分注，异质材料温度界面控制注塑工艺及装备，为芯片的高阶工程化应用及高良品率，低成本塑封，提供高可靠性的技术支持。

大功率国产IGBT芯片应力压接式双面散热分立器件封装技术的成功，将国内业界的发展和市场格局产生积极的影响。